成键重排后，每一半净增了多少电子？
H₂ 密度减去两个保持原位的独立 H 原子密度。两颗 H 位于 z = 4.63、5.37 Å；沿 xy 平面加总，再沿 z 积分，观察正负贡献怎样抵消。
移动边界 b 改变两侧积分区域；H 的位置和密度保持固定。
≈ 0 e
≈ 0 e
输入框接受任意小数；滑块及方向键每次 0.01 Å，Home / End 到两端。也可拖动图内边界。
灰点线是 H 的坐标。上下图共用 z 轴，纵轴单位不同且刻度固定。λ 已乘截面积；每段线性插值密度后精确积分，不再乘一次面积，也不线性插值累计量。
一维曲线正区面积
∫ max[λ(z), 0] dz：先对 xy 平面加总，再取正值。
三维正网格积累量
∫ max[Δn(r), 0] d³r：先取每个三维网格的正值，再加总；取自原始摘要。
同一平面内的积累、耗尽在加总时会抵消，所以两种正区积分不同。对称 H₂ 在 5 Å 分区的净数近零；异质结需在自己的结构上声明边界，再积分各层。区域净数也不能单独给出自由载流子数。
接着读 Zhang 等 Fig. 5(d)：ZrI₂/graphene 的横轴 Z-distance 为 Å，纵轴 Δρ 为 e/Å，黄色、青色分别标正、负区；右侧结构插图帮助定位积累和耗尽。其纵轴刻度约为 ±0.04 e/Å，而 (b) 达到 0.6、−0.8 e/Å，比较前先核对刻度。本例也用 e/Å 画线密度，再单独画以 e 为单位的累计积分；H₂ 的数值不代替论文中的界面转移量。
数据、完整源码与下载
本页保留 145 行原 CSV（含周期终点），10 Å 立方晶胞、144³ 网格与原摘要。Δn = nAB − nA − nB 的正号表示电子数增加。摘要电子积分为 AB ≈ 2、A ≈ 1、B ≈ 1；三维正区数字直接读取摘要。
本页样本对应 VASP 5.4.4 存档；VESTA 场景格式为 3.5.4。图中物理阈值 ±0.03 e/ų 对应存储值 ±30；场景显示为 ±0.00444555 e/bohr³。CHGCAR 文档说明密度块与体积换算，VESTA 3 手册说明体数据与等值面显示。
CSV 保留原采样点和累计量；来源摘要记录原始密度与三维积分。当前分区 JSON 另保留所选边界、左右积分、两种正区量和源身份，可用源码复算。